Samsung comienza la producción de su memoria DRAM DDR5 @ 14nm

 

Samsung Electronics ha anunciado el inicio de la producción en masa de la memoria DRAM más pequeña del sector gracias a su proceso de fabricación de 14nm EUV. Cabe señalar que, luego del envío de la primera DRAM EUV del sector en marzo del 2020, la compañía ha aumentado el número de capas EUV a cinco. Esto con al finalidad de ofrecer el proceso de DRAM más delgado y avanzado de la actualidad para sus soluciones DDR5.

De acuerdo con Jooyoung Lee, Vicepresidente Senior y Jefe de Producto y Tecnología DRAM de Samsung Electronic, han liderado el mercado de la DRAM durante casi 30 años. Asimismo, han sido pioneros en las innovaciones tecnológicas del modelado.

De igual forma, declaró que la compañía está «marcando otro hito tecnológico con la tecnología EUV multicapa que ha permitido una miniaturización extrema a 14nm». Este logro no sería posible con el proceso convencional de fluoruro de argón (ArF). «Sobre la base de este avance, continuaremos proporcionando las soluciones de memoria más diferenciadas al abordar plenamente la necesidad de un mayor rendimiento y capacidad en el mundo impulsado por los datos del 5G, la IA y el metaverso.», concluyó.

La producción de chips de memoria DDR5 @ 14nm EUV implica que la empresa ha logrado mejorar la productividad de la oblea en un 20%. De igual forma, el proceso de fabricación de 14nm EUV puede contribuir a la reducción del consumo de energía en casi un 20% en comparación con el nodo DRAM de la generación anterior.

Por su parte, la DRAM de 14nm de Samsung, sacando provecho del último estándar DDR5,  ayudará a alcanzar velocidades hasta 7,2 gigabits por segundo (Gbps). Es decir, más del doble de la velocidad DDR4 de hasta 3,2 Gbps.

Fuente: El Chapuzas Informático

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